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【18禁爆乳裸体无遮挡照片a片】三星宣布量产第8代V

字号+ 作者:芙蓉并蒂网 来源:百科 2022-12-03 10:47:53 我要评论(0)

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  虽然还没有发布任何实际产品,布量但三星电子现宣布已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片,产第该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。星宣

  新一代存储芯片可带来 2400MTps 的布量传输速度,当搭配高端主控使用时,产第它可使得消费级 SSD 的星宣奇米影视起碰在线传输速度轻松超过 12GBps。

  据介绍,布量第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的产第方案,三星电子没有公开 IC 的大小和实际密度,不过他们称之为业界最高的比特密度。

  三星声称,与现有相同容量的午夜嘿嘿嘿在线观看闪存芯片相比,其新一代 3D NAND 闪存可提高提高 20% 的单晶生产率,从而进一步降低了成本(在良率相同的情况下),这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的固态硬盘。

  该公司没有透露新品架构,但根据提供的图像,我们可以假设这是国产精品边做奶水狂喷无码一种双平面 3D NAND 芯片。

  三星电子闪存产品与技术执行副总裁 SungHoi Hur 表示:“由于市场对更密集、更大容量存储的需求推动了更高的 V-NAND 层数,三星采用了先进的 3D 压缩技术,以减少表面积和高度,同时避免通常在压缩时出现的单元间干扰。”“我们第 8 代 V-NAND 将有助于满足快速增长的清纯唯美奇米影视市场需求,并使我们更好地提供更多差异化的产品和解决方案,这将是未来存储创新的基础。”

  今年年年,三星推出了其第八代和第九代 V-NAND 产品以及第五代 DRAM 产品。在此之前,该公司目前为 V-NAND 提供 512 Gb 三级单元 (TLC) 产品。

  此外,第五代 DRAM 产品将是 10nm (1b) 器件,将于 2023 年进入量产阶段。IT之家了解到,三星即将推出的其它 DRAM 解决方案还包括 32 Gb DDR5 解决方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM 和 36 Gbps GDDR7 DRAM。

  三星对其 V-NAND 声称,到 2030 年,它将打造出 1000 层的 V-NAND。为了实现这一目标,三星正在从其当前的 TLC 架构过渡到四级单元 (QLC) 架构,以提高密度并启用更多层。

  三星还将在 DRAM 研发上投入更多资源,研究新的架构和材料,例如 High-K,以帮助将 DRAM 扩展到 10nm 以上。该公司打算进一步开发其它 DRAM 解决方案,例如内存处理 (PIM)。

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